檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "楊宏智".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="陳炤彰"
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中文摘要 本研究針對非軸對稱光學曲面，發展一套簡易的CAM系統，建構的自動平滑化加工製程，進行平滑化製程對於形狀誤差與表面形貌的探討。首先在CAD環境，依非球面公式所繪製的曲線，利用邊界混合的指令…
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本研究主要在建構用於化學機械平坦化拋光之拋光墊表面形貌分析，自行研發設計一款雷射共軛焦三維表面形貌掃描儀，並開發對拋光墊形貌分析之專用程式。主要方法為將雷射共軛焦儀架設於龍門線性馬達平台，回授平台X…
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三維堆疊積體電路(3DS-IC)被認為是一項突破摩爾定律關鍵技術，由矽導孔晶圓(TSV)及玻璃導孔晶圓(TGV)作為中介層(Interposer)材料進行三維異質元件堆疊，TGV所需使用的無鹼玻璃基…
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薄膜因具有結構微型化及與傳統塊材相異且特殊的物理及化學性質，因而被廣泛地應用於半導體、光機電工程等領域上，但是，薄膜材料當中的殘留應力會顯著的影響其材料性能，而在薄膜生長的製程及晶圓製造中針對表面加…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大，但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質，造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
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隨著半導體產業發展，三維堆疊積體電路(3DS-IC)是一項突破莫爾定律的關鍵技術，由矽導微孔(Through-Silicon-Via, TSV)晶圓可作為中介層(Interposer)進行異質元件間…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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本研究旨在研發電化學輔助固定式磨料研光製程(Electrochemical Assisted-Fixed Abrasive Lapping, ECA-FA Lapping)並應用於單晶矽晶圓之研光製…
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由鉑銥合金製成之國際公斤原器(International Prototype of the Kilogram, IPK)，其質量會隨著時間的推移而產生些微的變化，以單晶矽晶球作為換算同位素矽晶體中的…